Characteristics of IGZO TFT Prepared by Atmospheric Pressure Plasma Jet Using PE-ALD $\hbox{Al}_{2}\hbox{O}_{3}$ Gate Dielectric
用户NryHlAVH_iBM
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文献链接: http://ieeexplore.ieee.org/document/6165637/
其他信息:
出版社: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
作者: Chien-Hung Wu; Kow-Ming Chang; Sung-Hung Huang; I-Chung Deng; Chin-Jyi Wu; Wei-Han Chiang; Chia-Chiang Chang
