Impact of Al2O3 spacers on the improvement in short-channel effects for the mesa-shaped vertical-channel In-Ga-Zn-O thin-film transistors with a channel length below 100 nm
用户NryHlAVH_iBM
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DOI: 10.1016/j.mssp.2023.108025
文献链接: https://linkinghub.elsevier.com/retrieve/pii/S1369800123007187
其他信息:
出版社: Elsevier BV
作者: Chae-Eun Oh; Young-Ha Kwon; Nak-Jin Seong; Kyu-Jeong Choi; Sung-Min Yoon
