当前位置:首页 > 文献互助 > 互助详情

First principles band structure of interacting phosphorus and boron/aluminum δ -doped layers in silicon复制

用户ydeigrG4DijY 1小时前 4 10 求助中 帖子自动结束时间: 2026-03-17 21:37:38

1. 文件大小不能超过300M, 允许上传文档或压缩包等

2. 请确保上传文献的真实性、完整性,不得对原文做任何修改

注: 所有应助的资源仅供学习交流使用, 不得违反相关法律法规

DOI: 10.1088/1361-648x/ae4555复制

文献链接: https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-648X/ae4555复制

其他信息:

出版社: IOP Publishing
作者: Quinn T Campbell; Andrew D Baczewski; Shashank Misra; Evan M Anderson
全文下载地址: https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-648X/ae4555/pdf

互助时间线

2026-03-12 21:37:38 [发起求助]