First principles band structure of interacting phosphorus and boron/aluminum δ -doped layers in silicon
用户ydeigrG4DijY
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文献链接: https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-648X/ae4555
其他信息:
出版社: IOP Publishing
作者: Quinn T Campbell; Andrew D Baczewski; Shashank Misra; Evan M Anderson
全文下载地址: https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-648X/ae4555/pdf
