A new compact DC model of floating gate memory cells without capacitive coupling coefficients
用户MyBoHkJSo_lw
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DOI: 10.1109/16.981221
文献链接: http://ieeexplore.ieee.org/document/981221/
其他信息:
出版社: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
作者: L. Larcher; P. Pavan; S. Pietri; L. Albani; A. Marmiroli
