当前位置:首页 > 文献互助 > 互助详情

Behavior of Boron Implanted into n-Si (100) by Low-Energy (2 keV) Ion Implantation for a Shallow Junction复制

用户ydeigrG4DijY 2个月前 70 10 已关闭

DOI: 10.3938/jkps.52.1237复制

文献链接: http://www.jkps.or.kr/journal/DOIx.php?id=10.3938/jkps.52.1237复制

其他信息:

出版社: Korean Physical Society
作者: Sa-Kyun Rha; Youn-Seoung Lee; Won-Jun Lee; Min-Seok Jeon; Jun-Kwang Song; Myeung Hee Lee

互助时间线

2025-10-04 11:48:35 [关闭求助]

系统关闭了求助

2025-09-29 11:48:35 [发起求助]