Influence of temperature inhomogeneity and trap charge on current imbalance of SiC MOSFETs
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DOI: 10.1016/j.sse.2025.109085
文献链接: https://linkinghub.elsevier.com/retrieve/pii/S0038110125000309
其他信息:
出版社: Elsevier BV
作者: Chunsheng Guo; Jiapeng Li; Yamin Zhang; Hui Zhu; Meng Zhang; Shiwei Feng