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1/f noise model based on trap-assisted tunneling for ultra-thin oxides MOSFETs复制

用户ydeigrG4DijY 1个月前 57 10 已完结

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DOI: 10.36227/techrxiv.12579641复制

文献链接: https://www.techrxiv.org/articles/1_f_noise_model_based_on_trap-assisted_tunneling_for_ultra-thin_oxides_MOSFETs/12579641复制

其他信息:

出版社: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
作者: Ruben Asanovski; Luca Selmi; Pierpaolo Palestri; Enrico Caruso

互助时间线

2025-08-19 09:09:34 [完结求助]

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2025-08-14 19:45:29 [发起求助]