1/f noise model based on trap-assisted tunneling for ultra-thin oxides MOSFETs
用户ydeigrG4DijY
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DOI: 10.36227/techrxiv.12579641
其他信息:
出版社: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
作者: Ruben Asanovski; Luca Selmi; Pierpaolo Palestri; Enrico Caruso