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Approach to High-Performance Indium Gallium Zinc Oxide Transistors by Thermal Atomic Layer Deposition复制

用户NryHlAVH_iBM 1个月前 65 10 已完结

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DOI: 10.1109/led.2025.3539304复制

文献链接: https://ieeexplore.ieee.org/document/10876182/复制

其他信息:

出版社: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
作者: Xingwei Ding; Luoqiang Wang; Kun Bai; Jun Yang; Jianhua Zhang

互助时间线

2026-05-18 18:34:18 [完结求助]

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2026-05-18 18:33:36 [上传文件]

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2026-05-18 18:33:27 [发起求助]

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