Approach to High-Performance Indium Gallium Zinc Oxide Transistors by Thermal Atomic Layer Deposition
用户NryHlAVH_iBM
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文献链接: https://ieeexplore.ieee.org/document/10876182/
其他信息:
出版社: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
作者: Xingwei Ding; Luoqiang Wang; Kun Bai; Jun Yang; Jianhua Zhang

